onsemi NTD80N02-1G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD85N02R-001
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD80N02-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
Power MOSFET 24V 80A 5.8 Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 24V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 80A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 24V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation75 W
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time67 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen