onsemi FDU8778
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU8778, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
25V,35A,14OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
MOSFETs 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
39W(Tc) 2.5V@ 250¦ÌA 18nC@ 10V 1individualNChannel 25V 14m¦¸@ 35A,10V 845pF@13V IPAK Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance845 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation39 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)25 V