onsemi NTD60N02R-1G
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0
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Continuous Drain Current (ID)
32 A
32 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
10.5 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.87 W
1.87 W
Input Capacitance
1.33 nF
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD60N02R-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 32A Tc 32A 1.87W 33ns
Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 62A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 25V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.25W(Ta),58W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 14nC@ 4.5 V 1N 25V 10.5m¦¸@ 20A,10V 62A 1.33nF@20V TO-252-3 6.73mm*2.38mm*6.35mm
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:62A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:58W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating62 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.87 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)25 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen