onsemi NTD4904N-1G
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Stock
19,515
165,138
Authorized Distributors
1
4
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
3.7 mΩ
3.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
52 W
Input Capacitance
3.052 nF
3.052 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-01-23
LTD Date2014-07-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 76A 2.14W 4.7ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 2.8ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4904N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 79A, 3.7mΩ, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
13 A 30 V 0.0055 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
NFET DPAK 30V 79A 3.7MO
NTD4904N-1G O
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.052 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.7 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen