onsemi NTD4863N-1G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4860N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4863N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.2A Ta 49A Tc 8.6A 1.95W 16.5ns
Power MOSFET 25V 49A 9.3 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:8.6A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):10.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance990 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation36.6 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.95 W
Rds On Max9.3 mΩ
Rise Time16.5 ns
Turn-Off Delay Time20.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen