onsemi NTD4860N-1G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4808NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 12A 2W 5.6ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4860N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Single N-Channel Power MOSFET 25V, 65A, 7.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
10.4 A 25 V 0.0111 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 25V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12.6A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance11.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.308 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen