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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD6776A herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2011-03-09
LTD Date2011-03-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD6776A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 25V 17.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 17.7A I(D), 25V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
PT6 NCH MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.49 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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