onsemi NTD4856N-1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD78N03T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
onsemiNTD85N02RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
STMicroelectronicsSTD86N3LH5
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4856N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 13.3A Ta 89A Tc 16.3A 2.14W 7.5ns
Power MOSFET 25V 89A 4.7 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
13.3 A 25 V 0.0068 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power MOSFET 25V 86A Single N-channel
Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 25V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:16.3A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.241 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time22.5 ns
Turn-Off Delay Time27.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen