onsemi NTD4813NHT4G
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4863N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.2A Ta 49A Tc 8.6A 1.95W 16.5ns
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD18NF03L
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4813NHT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 13mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
40 A 30 V 0.0259 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0259ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 30V, 9A, D-Pak; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:9A; On Resistance Rds(On):0.013Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.94 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time16.1 ns
Turn-Off Delay Time17.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen