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Verwandte Teile
onsemiNTD4805N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
onsemiNTD110N02R-001
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4804NA-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 117A 4MOHM
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:117A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:93.75W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.49 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.43 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
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