onsemi NTD20N06T4G

Name: onsemi NTD20N06T4G
Brand: onsemi
SKU: NTD20N06T4G

NTD20N06T4G N-channel Mosfet Transistor, 20 A, 60 V, 3-PIN D2PAK

$ 0.742

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	NTD20N06T4G	782	5	Cut Tape		1,860	1,690	1,690	1,690
Rochester Electronics		NTD20N06T4G	7					0,849	0,705	0,628	20h
DigiKey	3	NTD20N06T4GOSCT-ND	2.590	1	Cut Tape	2,270	1,455	0,990	0,770	0,770
RS (Formerly Allied Electronics)		NTD20N06T4G	0	20	Bulk			1,770	1,690	1,690	12h
Master Electronics		NTD20N06T4G	0	500					0,675	0,605

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 7 Jahren

Upverter

Master Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

element14 APAC

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Alternative Teile

onsemiNTD20N06T4G

onsemiNTDV20N06T4G-VF01

Price @ 1000

$ 0.742

$ 1.623

Stock

1,386,654

112,126

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

Threshold Voltage

2.91 V

Rds On Max

46 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

60 W

Input Capacitance

1.015 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia, Vietnam

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2001-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2026-07-05

LTD Date2027-01-05

Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTD20N06T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NTD20N06T4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 60 V, 3-PIN D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 46mΩ

onsemi

N-Channel 60 V 37.5 mOhm 60 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252-3

Future Electronics

60 VOLTS, 20 AMPS, N-CHANNEL DPAK POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CHANNEL, 60V, 20A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0375ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.

Farnell

Bilder

element14

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

TME

Future Electronics

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTD20N06T4G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)20 A

Current Rating20 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance46 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time37.1 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.015 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation60 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation60 W

Rds On Max46 mΩ

Resistance37.5 MΩ

Rise Time60.5 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.91 V

Turn-Off Delay Time27.1 ns

Turn-On Delay Time9.5 ns

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height4.83 mm

Length10.29 mm

Width9.65 mm

Datenblätter und Dokumente

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