onsemi NTD20N03L27G
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Obsolete
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Price @ 1000
$ 0.362
$ 0.528
$ 0.528
Stock
31,687
730,753
730,753
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
1.6 V
1.6 V
Rds On Max
27 mΩ
27 mΩ
27 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
74 W
74 W
74 W
Input Capacitance
1.26 nF
1.26 nF
1.26 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Verwandte Teile
InfineonIPD040N03LGATMA1
79W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD20N03L27G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 20A Ta 20A 74W 31ns
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin (2+Tab) DPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 20A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:288mJ; Current Id Max:20A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.67°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:74W; Power Dissipation Pd:74W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V; Voltage Vgs th Min:1V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Elements1
Power Dissipation74 W
Rds On Max27 mΩ
Rise Time137 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen