onsemi NSBA123JDXV6T1
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Obsolete
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Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.116
Stock
732,732
121,421
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-563
SOT-563
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
80
80
Power Dissipation
357 mW
357 mW
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Verwandte Teile
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSBA123JDXV6T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 80 @ 5mA 10V 100mA 500mW 50V
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation357 mW
Voltage Rating (DC)-50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen