onsemi NGB8206NT4G
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NGB8206NT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel Ignition IGBT 20 A, 350 V
IGBTs 20A, 350V, Ignition N-Channel
NGB8206NT4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)390 V
Current Rating20 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 µs
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time8 µs
Voltage Rating (DC)350 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen