onsemi NDS356AP

Name: onsemi NDS356AP
Brand: onsemi
SKU: NDS356AP

Trans Mosfet P-ch 30V 1.1A 3-PIN SOT-23 T/r / Mosfet P-ch 30V 1.1A SSOT3

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	NDS356AP.	0	5			0,630*	0,308*	0,188*	0,151*	11h
Component Stockers USA		NDS356AP	92.316			0,150	0,150	0,140	0,130	0,130	>1wk
Win Source		WS-NDS356AP	15.000	45				1,105	0,918	0,918	17h
Worldway Electronics		NDS356AP	11.602	7	Tape & Reel		0,300	0,286	0,286	0,286	16h
Maritex		NDS356AP-U1	442	1		3,863	3,144	2,332	1,970	1,970	20h

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Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren

Datasheet7 SeitenVor 28 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

Datasheet5 SeitenVor 20 Jahren

Upverter

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2022-01-31

LTD Date2023-01-31

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS356AP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Win Source

-30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

onsemi

P-Channel 30 V 0.3 Ohm SMT Enhance Mode Field Effect Transistor - SSOT-3

Future Electronics

MOSFET, P SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.1A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.6V; Power Dissipatio

Farnell

MOSFET, P SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):300mohm; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23 (TO-236); Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Pd:500mW; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:NDS356AP; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vgs th Max:-2.5V

element14 APAC

SuperSOT™-3 P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management, portable electronics, and other battery powered circuits where fast high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NDS356 AP
NDS356AP.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.1 A

Current Rating-1.1 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Dual Supply Voltage-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time17 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance280 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation500 mW

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-2 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation500 mW

Rds On Max200 mΩ

Resistance300 mΩ

Rise Time17 ns

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Turn-Off Delay Time53 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.12 mm

Width3.05 mm