onsemi MUN5311DW1T1
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Stock
2,587,073
4,501,883
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
SOT-363-6
Polarity
NPN, PNP
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
Power Dissipation
150 mW
187 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MUN5311DW1T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT). ONSSPCTRNSTME1D1N;
1 NPN，1 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88-6 SMD mount 2mm*1.25mm*900μm
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 / Dual Bias Resistor Transistors
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min35
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation150 mW
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen