onsemi MUN5133DW1T1G

Name: onsemi MUN5133DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5133DW1T1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

$ 0.048

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	MUN5133DW1T1G	17.533	188					0,031	0,031
Arrow Electronics		MUN5133DW1T1G	17.533	1		0,038	0,031	0,031	0,031	0,031
Rochester Electronics		MUN5133DW1T1G	36.069					0,040	0,033	0,029	14m
DigiKey	3	MUN5133DW1T1GOSCT-ND	3.000	1	Cut Tape	0,270	0,164	0,102	0,066	0,066
Newark	2	MUN5133DW1T1G	0	5	Cut Tape		0,166	0,108	0,074	0,074

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 7 Jahren

Master Electronics

Future Electronics

Newark

TME

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onsemiMUN5133DW1T1G

onsemiMUN5133DW1T1

Price @ 1000

$ 0.048

$ 0.11

Stock

305,163

146,502

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

hFE Min

Power Dissipation

250 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5133DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

IHS

Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

250mV@ 1mA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm

UnikeyIC

MUN5133DW1 Series 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount PNP Transistor - SOT-363

Future Electronics

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

100 mA 50 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Component Stockers USA

Digital Transistor, 50V, 0.1A Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5133DW1T1G

Newark

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

Digi-ic_SMART PIONEER

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current-100 mA

Current Rating-100 mA

Element ConfigurationDual

hFE Min80

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation250 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)-50 V

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