onsemi MMUN2211LT3G
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Stock
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72,120,384
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
246 mW
246 mW
246 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Diodes Inc.DDTC114ECA-7-F
DDTC114CA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTC143XCA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMUN2211LT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
MMUN2211LT3G NPN DIGI TRANSISTOR, 100MA 50 V 10 KOHM, RATIO OF 1, 3-PIN SOT-23
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
NPN - Pre-Biased 246mW 100mA 50V SOT-23(SOT-23-3) Digital Transistors ROHS
onsemi NPNdigital transistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage50 V
BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SOT-23-3; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation246 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen