onsemi MMBTA14

Bipolar (bjt) Single Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 125 Mhz, 350 Mw, 1.2 A, 20000 Rohs Compliant: Yes
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Farnell
2
MMBTA1405Cut Tape
17h
Component Stockers USAMMBTA1415.212
>1wk
Win SourceWS-MMBTA14129.6002780
18h
Worldway ElectronicsMMBTA1424.6447Tape & Reel
17h
Fly-Wing TechnologyMMBTA14128.200
16h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet3 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

TME

onsemi

element14 APAC

Fairchild Semiconductor

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMMBTA14
Diodes Inc.MMBTA14-7-F
Price @ 1000
$ 0.063
Stock
328,926
2,923,392
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
20000
Power Dissipation
350 mW
-

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBTA14, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BIPOLAR (BJT) SINGLE TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, 30 V, 125 MHZ, 350 MW, 1.2 A, 20000 ROHS COMPLIANT: YES
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MMBTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 20000 @ 100mA 5V 1.2A 350mW 125MHz
Fly-Wing Technology
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Avnet
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.
Fairchild Semiconductor
TRANSISTOR NPN DARL 0.3A 30V SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:125MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:20000; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
element14 APAC

Bilder

RS
Farnell
TME
Farnell
Newark
Jameco
Conrad
Rochester Electronics
element14

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MMBTA14.