onsemi MMBTA13

Name: onsemi MMBTA13
Brand: onsemi
SKU: MMBTA13

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	3	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,101*	0,040*	0,024*	0,023*	14h
element14 APAC	2	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,078*	0,074*	0,051*	0,041*	1d
Win Source		WS-MMBTA13	9.000	1820						0,027	14h
Worldway Electronics		MMBTA13	20.611	7	Tape & Reel		0,010	0,009	0,009	0,009	14h
Chipsmall Limited		MMBTA13	300.000	1		0,062	0,042	0,025	0,021	0,021	13h

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onsemiMMBTA13

onsemiMMBTA13LT1G

Price @ 1000

$ 0.042

Stock

405,310

17,471,985

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

30 V

Max Collector Current

300 mA

Transition Frequency

125 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

hFE Min

5000

10000

Power Dissipation

350 mW

225 mW

Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2019-01-26

LTD Date2019-07-26

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBTA13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Rebound Electronics

Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 5000hFE; Transistor Ca

Farnell

Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1.2A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:300mA; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:MMBTA13; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1M; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBTA13.
MMBTA13..

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Current Rating1.2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)10 V

hFE Min5000

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current300 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation350 mW

Transition Frequency125 MHz

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height930 µm

Length2.92 mm

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