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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiMMBT5551LT3G

onsemiMMBT5551LT1G

Price @ 1000

$ 0.033

$ 0.04

Stock

6,083,525

89,983,906

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

160 V

Max Collector Current

60 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFE Min

Power Dissipation

300 mW

225 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT5551LT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ON SEMI MMBT5551LT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 160 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

MMBT5551 Series NPN 160 V 0.6 A SMT High Voltage Silicon Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

High Voltage NPN Bipolar Transistor

onsemi

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Jak Electronics

Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN

Digi-ic_SMART PIONEER

60 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current600 mA, maximum collector-emission voltage160 V

UnikeyIC

Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:160V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-; Dc Current Gain Hfe Min:80Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5551LT3G.

Newark

Bilder

RS APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBT5551LT3G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -100%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)180 V

Collector Emitter Breakdown Voltage160 V

Collector Emitter Saturation Voltage200 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V

Current Rating600 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

hFE Min30

Max Breakdown Voltage160 V

Max Collector Current60 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation300 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency200 MHz

Voltage Rating (DC)160 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length3.04 mm

Width2.64 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MMBT5551LT3G herunter.