onsemi MMBT5550LT1G

Name: onsemi MMBT5550LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5550LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.036

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	MMBT5550LT1G	2.203.000	3K						0,014	5h
Newark	3	MMBT5550LT1G	1.876	1	Cut Tape	0,145	0,145	0,058	0,038	0,038
Arrow Electronics		MMBT5550LT1G	246.000	3K						0,024
Verical	4	MMBT5550LT1G	33.000	3K						0,023
Future Electronics	2	MMBT5550LT1G	3.000	3K	Tape & Reel					0,018

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 2 Jahren

JRH Electronics

onsemi

Upverter

Newark

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onsemiMMBT5550LT1G

onsemiMMBT5550LT1

Price @ 1000

$ 0.036

$ 0.025

Stock

7,024,567

205,680

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

140 V

Max Collector Current

600 mA

60 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

225 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT5550LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

ON SEMI MMBT5550LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 140 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

Bipolar Transistors (BJT); MMBT5550LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 140 V; 600 mA

Maritex

140V 225mW 60@10mA,5V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

MMBT Series 140 V 60 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23

Future Electronics

250mV@ 5mA,50mA NPN 300mW 6V 100nA 160V 140V 600mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*1mm

UnikeyIC

High Voltage NPN Bipolar Transistor

onsemi

General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=140V hfe=60 P=225mW SOT23

HQonline

Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

BJT, NPN, 140V, SOT-23, FULL REEL

Farnell

Bjt, Npn, 140V, Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:140V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5550LT1G.

Newark

Bilder

DKO Electronshik

Augswan

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBT5550LT1G.
MMBT5550LT1G?

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)160 V

Collector Emitter Breakdown Voltage140 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V

Current Rating600 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

hFE Min20

Max Breakdown Voltage140 V

Max Collector Current600 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Schedule B8541210080

Transition Frequency200 MHz

TypeGeneral Purpose

Voltage Rating (DC)140 V

Dimensions

Height1.01 mm

Length3.04 mm

Width1.4 mm

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