onsemi MMBT4403WT1
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
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CAD-Modelle
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1 Teil verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
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$ 0.034
Stock
106,248
11,889,378
Authorized Distributors
1
6
Mount
-
-
Case/Package
-
SC
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-750 mV
-750 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
-
150 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMBT4403WT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 / Bipolar (BJT) Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT4403WT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min100
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen