onsemi MMBT2907AWT1G

Name: onsemi MMBT2907AWT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT2907AWT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount

$ 0.04

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	4	MMBT2907AWT1G	174.000	3K						0,016	2d
Newark	3	MMBT2907AWT1G	1.385	1	Cut Tape	0,156	0,156	0,063	0,042	0,042
Verical	5	MMBT2907AWT1G	970.952	20548
Arrow Electronics		MMBT2907AWT1G	8.667	1		0,023	0,015	0,014	0,014	0,014
Future Electronics	4	MMBT2907AWT1G	378.000	3K	Tape & Reel					0,021

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Newark

Datasheet5 SeitenVor 9 Jahren

IHS

onsemi

element14 APAC

Farnell

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onsemiMMBT2907AWT1G

Price @ 1000

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Stock

29,145,043

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

60 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

-1.6 V

hFE Min

Power Dissipation

150 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT2907AWT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount

Avnet Silica

ON SEMI MMBT2907AWT1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 60 V, 3-PIN SC-70

RS (Formerly Allied Electronics)

60V 150mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

MMBT Series 60 V 600 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-323

Future Electronics

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, FULL REEL

Farnell

PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

Bipolar Transistor, Pnp, -60V, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2907AWT1G.

Newark

BIPOLAR Transistor; Transistor POLARITY:; BIPOLAR Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; Packaging:Cut Tape

element14 APAC

Bilder

element14 APAC

Augswan

RS (Formerly Allied Electronics)

South Microelectronics

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBT2907AWT1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V

Current Rating-600 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency200 MHz

Gain Bandwidth Product200 MHz

hFE Min50

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current600 mA

Max Frequency200 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency200 MHz

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height700 µm

Length2.2 mm

Width1.35 mm