onsemi MMBF170LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBF170LT1G | 399.000 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | MMBF170LT1G | 60.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | MMBF170LT1G | 3.466 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBF170LT1G | 15.250 | 1 | |||||||||
| Verical | MMBF170LT1G | 279.000 | 3K |
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Stock
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434,417
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Authorized Distributors
6
1
1
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
TO-236-3
TO-236-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
500 mA
500 mA
500 mA
Threshold Voltage
3 V
-
-
Rds On Max
5 Ω
5 Ω
5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
60 pF
60 pF
60 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMBF170LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MMBF170L: Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel SOT-23 Logic Level
Single N-Channel 60 V 225 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60VDC, RDS(ON) 5 OHMS, ID 0.5A, SOT-23 (TO-236),PD 225MW
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Single N-Channel Power MOSFET 60V 500mA 5Ω
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
N Channel Mosfet, 60V, 500Ma Sot-23, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:500Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:225Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBF170LT1G.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 500 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) mW = 225
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)500 mA
Current Rating500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation225 mW
Rds On Max5 Ω
Resistance5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen