onsemi MJE170STU
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.348
Stock
68,318
219,896
Authorized Distributors
0
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-126
TO-225
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.7 V
1.7 V
hFE Min
12
12
Power Dissipation
1.5 W
12.5 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
onsemiKSB744YSTU
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 45MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJE170STU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MJE Series PNP 12.5 W 40 V 3 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 40V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min12
Max Collector Current3 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen