onsemi KSB772OS
$ 0.11
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Verwandte Teile
onsemiKSB772YSTU
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemiKSB744YSTU
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 45MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSB772OS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 1A 2V 1muA ICBO 1W 80MHz
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP Epitaxial Silicon Transistor
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Datenblätter und Dokumente
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