onsemi MJD44H11TM

8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Flip ElectronicsMJD44H11TM10.000
6d
element14 APAC
2
MJD44H11TM01Cut Tape
21h
Farnell
2
MJD44H11TM01Cut Tape
1d
Win SourceWS-MJD44H11TM10.200185
8h
Worldway ElectronicsMJD44H11TM29.0417Tape & Reel
7h

Datenblätter und Dokumente

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onsemi

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 18 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

element14 APAC

Farnell

Fairchild Semiconductor

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMJD44H11TM
onsemiMJD44H11T4G
onsemiMJD44H11T4G
Price @ 1000
$ 0.293
$ 0.293
Stock
173,115
8,526,588
8,526,588
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
50 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD44H11TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
onsemi
MJD Series NPN 1.75 W 80 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
IHS
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Gain Hfe Max:400; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:3A; Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:3000mA; DC Current Gain Hfe Max:400; DC Current Gain Hfe Min:200; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:200; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:1.75W; Power Dissipation Ptot Max:20W; Termination Type:SMD
element14 APAC

Bilder

Augswan
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Conrad
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD44H11TM.