onsemi MJD44H11T4G
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574,393
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
85 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD44H11T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Bipolar Transistors (BJT); MJD44H11T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 8 A
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Bjt Single, Npn, 80V, 8A; |Onsemi MJD44H11T4G.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 85MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency85 MHz
Gain Bandwidth Product85 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency85 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency85 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen