onsemi MJD44H11G
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
85 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD44H11G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 80VDC, IC 8A, PD 20W, DPAK, HFE 40,VCEO 80V
Bipolar Transistors (BJT); MJD44H11G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 8 A
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Audio; |Onsemi MJD44H11G.
Transistor MJD44H11 General Purpose NPN 80 Volt 8 Amp DPAK
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 85MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style:
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency85 MHz
Gain Bandwidth Product85 MHz
hFE Min40
Max Collector Current8 A
Max Frequency85 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency85 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen