onsemi KST5551MTF
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Offizielles DatenblattVor 12 Jahren
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Stock
135,853
80,897,169
80,897,169
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
600 mA
60 mA
60 mA
Transition Frequency
100 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
150 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
350 mW
225 mW
225 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMBT5551-7-F
MMBT5551 Series NPN 160 V 300 mW Small Signal Transistor Surface Mount- SOT-23-3
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KST5551MTF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
KST Series NPN 350 mW 160 V 600 mA Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
200mV@ 5mA,50mA NPN 350mW 6V 50nA 180V 160V 600mA SOT-23-3 SMD mount 2.92mm*1.3mm*930¦Ìm
Transistor, Npn, 160V, 0.6A, Sot-23-3 |Onsemi KST5551MTF
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 30hFE;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen