onsemi KST5550MTF
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2018-11-23
LTD Date2019-05-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Verwandte Teile
onsemiKST5551MTF
KST Series NPN 350 mW 160 V 600 mA Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-23
Diodes Inc.MMBT5551-7-F
MMBT5551 Series NPN 160 V 300 mW Small Signal Transistor Surface Mount- SOT-23-3
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBTA06-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KST5550MTF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor,bjt,npn,140V V(Br)Ceo,600Ma I(C),to-236Ab Rohs Compliant: Yes
KST5550 Series 140 V 0.6 A 350 mW SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor-SOT-23-3
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 10mA 5V 100nA ICBO 350mW 300MHz
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen