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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
InfineonIRFR1205TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 44A;D-Pak (TO-252AA);PD 107W
InfineonBSC010NE2LSATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 39A, 1.0 MOHM, 242A, 33 NC, TSDSON8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N2357D3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20 A 30 V 0.007 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET 30V 35a NCh MOSFET 0.007 Ohm
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time84 ns
Datenblätter und Dokumente
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