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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRFR024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRFU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFU130ATU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
2.5W 20V 27nC@ 10V 1individualNChannel 100V 110mΩ@ 10V 14A 610pF@ 25V TO-251 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:13A; On-Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation41 W
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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