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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP15NK50ZFP
Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTP14NK50ZFP
N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP12NM50FP
STP12NM50FP N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFS350A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 400V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 400V N-Channel A-FET
92W(Tc) 4V@ 250µA 131nC@ 10V 1individualNChannel 400V 300mΩ@ 5.75A,10V 2.78pF@25V TO-3PF Through hole mounting
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
FAIRCHILD TO-3PF
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Current Rating11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.78 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation92 W
Rds On Max300 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height29.9 mm
Datenblätter und Dokumente
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