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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Verwandte Teile
InfineonIRF1405ZPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
InfineonAUIRF3205Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75345P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.007OHMS N-CHANNEL TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
325W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 275nC@ 20V 1individualNChannel 55V 7m¦¸@ 75A,10V 4pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 75a,55V,0.007Ohm,NCh UltraFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation325 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation325 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen