Infineon IRF1405ZPBF

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
$ 1.431
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
IRF1405ZPBF3.1231
Rochester Electronics
2
IRF1405ZPBF14.211
22h
DigiKeyIRF1405ZPBF-ND6011Tube
RS (Formerly Allied Electronics)IRF1405ZPBF050Bulk
15h
Farnell
2
IRF1405ZPBF611
22h

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

IHS

Newark

_legacy Avnet

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

InfineonIRF1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de
Details
InfineonIRF2805PBF
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Details
onsemiFDP050AN06A0
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220; PowerTrench®
Details
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
Details
onsemiHUF75339P3
N-Channel 55 V 0.012 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
Details
onsemiHUF75345P3
N-Channel 55 V 0.007 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1405ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 4.9 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:150A; On Resistance Rds(On):0.0049Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 150 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 4.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 82 / Rise Time ns = 110 / Turn-OFF Delay Time ns = 48 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 230
Distrelec

Bilder

Infineon
DKO Electronshik
Augswan
Farnell
Newark
TME
RS APAC
Conrad
iiiC
RS APAC
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF1405Z
  • IRF1405ZPBF.
  • IRF1405ZPBF..
  • SP001563230