Infineon AUIRF3205Z
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Stock
610,646
851,867
Authorized Distributors
3
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
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Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3205Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,N CH,55V,75A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Power Dissipation Pd:170W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen