Infineon IRFL024NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id 2.8A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-20V
$ 0.315
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
2
IRFL024NTRPBFCT-ND61Cut Tape
Rochester ElectronicsIRFL024NTRPBF0
14h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFL024NTRPBF020Bulk
3h
Farnell
3
IRFL024NTRPBF05Cut Tape
14h
Component Stockers USAIRFL024NTRPBF29.597
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

Farnell

IHS

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RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

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Alternative Teile
InfineonIRFL024NTRPBF
InfineonAUIRFL024NTR
InfineonAUIRFL024NTR
Price @ 1000
$ 0.315
$ 0.59
$ 0.59
Stock
1,669,854
388,087
388,087
Authorized Distributors
4
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
2.8 mA
2.8 mA
2.8 mA
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
75 mΩ
75 mΩ
75 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
1 W
1 W
1 W
Input Capacitance
400 pF
400 pF
400 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFL024NTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
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Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Verical
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0028A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Semicontronic
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:2.8A; On Resistance, Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 17.7 / Rise Time ns = 13.4 / Turn-OFF Delay Time ns = 22.2 / Turn-ON Delay Time ns = 8.1 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1
Distrelec

Bilder

Infineon
Farnell
Augswan
DKO Electronshik
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFL024NTRPBF.
  • SP001575806