onsemi HUFA76409D3S
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Verwandte Teile
onsemiHUFA76413D3ST
60W(Tc) 3V@ 250µA 20nC@ 10V 1individualNChannel 60V 49mΩ@ 20A,10V 645pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUFA76413D3S
60W(Tc) 3V@ 250µA 20nC@ 10V 1individualNChannel 60V 49mΩ@ 20A,10V 645pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUFA75309D3S
55W(Tc) 4V@ 250µA 24nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70mΩ@ 19A,10V 350pF@25V TO-252AA SMD mount
InfineonIRLR024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRLR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76409D3S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
49W(Tc) 3V@ 250µA 15nC@ 10V 1individualNChannel 60V 63mΩ@ 18A,10V 485pF@25V TO-252AA SMD mount
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
PWR MOS ULTRAFET 60V/17A/0.088 OHMS N-CH LL TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance485 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation49 W
Rds On Max63 mΩ
Rise Time34 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Voltage Rating (DC)60 V
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