onsemi HGTG20N60B3

Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2V @ 15V 20A 40A 165W 360ns
$ 2.64
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
HGTG20N60B342.154
4h
Flip ElectronicsHGTG20N60B32.700
7d
AvnetHGTG20N60B30269
1d
FarnellHGTG20N60B3..01
3h
Win SourceWS-HGTG20N60B310.43035
5h

Datenblätter und Dokumente

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onsemi

Datasheet8 SeitenVor 6 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiHGTG20N60B3
onsemiHGTG20N60B3_NL
Price @ 1000
$ 2.64
$ 1.33
Stock
206,219
27,883
Authorized Distributors
4
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247-3
TO-247
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
-
Max Collector Current
40 A
40 A
Power Dissipation
165 W
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
-
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG20N60B3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2V @ 15V 20A 40A 165W 360ns
Fly-Wing Technology
HGTG20N60B3 Series 600 V 40 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247
Future Electronics
40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs | IGBT 600V 40A 165W TO247
Win Source
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
Igbt Single Transistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes |Onsemi HGTG20N60B3..
Newark
PWR IGBT UFS 20A 600V TF<200NS N-CH TO-247
Onlinecomponents.com
IGBT,N CH,600V,40A,TO-247; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 165W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; O
Farnell
165W 1.8V 600V 40A TO-247-3 15.87mm*20.82mm*4.82mm
UnikeyIC
IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
DigiKey
The HGTG20N60B3 is a Generation III MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Newark
element14 APAC
Newark
Rochester Electronics
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HGTG20N60B3..