onsemi FQU10N20CTU

Name: onsemi FQU10N20CTU
Brand: onsemi
SKU: FQU10N20CTU

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 7.8 A, 360 mΩ, IPAK

EOL

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	FQU10N20CTU	0	5040	Tube					0,429*	10h
Microchip USA	FQU10N20CTU	328	300	Tray				6,045	6,045	17h
Component Stockers USA	FQU10N20CTU	3.765			0,360	0,360	0,340	0,310	0,310	1d
Win Source	WS-FQU10N20CTU	27.310	90				0,654	0,435	0,435	2h
Worldway Electronics	FQU10N20CTU	15.707	7	Tube		0,140	0,136	0,128	0,128	1d

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

DigiKey

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-01-05

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQU10N20CTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 7.8 A, 360 mΩ, IPAK

onsemi

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-Ch/200V/10A/Qfet Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQU10N20CTU

Newark

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-251-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight343.08 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)7.8 A

Current Rating7.8 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance360 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time72 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance510 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Rds On Max360 mΩ

Rise Time92 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time70 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)200 V

Datenblätter und Dokumente

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