Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonSPA04N50C3XKSA1
31W(Tc) 3.9V@ 200¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 560V 950m¦¸@ 2.8A,10V 470pF@25V TO-220 10.5mm*4.7mm*15.99mm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF6N50, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
42W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 22nC@ 10V 1N 500V 1.3¦¸@ 1.8A,10V 790pF@25V TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 500V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Current Rating3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max1.3 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Datenblätter und Dokumente
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