STMicroelectronics STP5NK50ZFP
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP5NK50ZFP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
Ciiva
N-Channel 500V - 1.22 Ohm - 4.4A Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STP5NK50 Series 500 V 4.4 A 1.5 Ohm Through Hole N-Ch Power MOSFET - TO-220FPAB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipa
N Channel Mosfet, 500V, 4.4A, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):1.22Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP5NK50ZFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height6.35 mm
Length2.54 mm
Width6.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant