Vishay IRFI730GPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
InfineonSPA04N50C3XKSA1
31W(Tc) 3.9V@ 200¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 560V 950m¦¸@ 2.8A,10V 470pF@25V TO-220 10.5mm*4.7mm*15.99mm
InfineonIPA50R800CEXKSA2
CoolMOS CE Series N-Channel 500 V 4.1 A (Tc) 26.4 W (Tc) MOSFET - PG-TO220-FP
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFI730GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 400 V 1 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
MOSFET, N TO-220FP 400V 3.7A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.7A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Diss
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation35 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen