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Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQPF3N90 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP5NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF3N90, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:900V; Current, Id cont:2.1A; Resistance, Rds on:4.25ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-220F; Current, Idm pulse:8.4A; Pins, No. of:3; Power dissipation:43W; Power, Pd:43W; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:900V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Current Rating2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance4.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation43 W
Rds On Max4.25 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQPF3N90 herunter.