onsemi FQPF2N90
$ 1.418
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-06-23
LTD Date2009-12-23
Verwandte Teile
onsemiFQPF2N80YDTU
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTP5NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF2N90, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
35W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 15nC@ 10V 1N 900V 7.2¦¸@ 700mA,10V 500pF@25V TO-220F
Trans MOSFET N-CH 900V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:900V; Current, Id Cont:1.4A; Resistance, Rds On:7.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220F; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; No. of Pins:3; Power Dissipation:35W; Power, Pd:35W; Voltage, Vds Max:900V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Current Rating1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max7.2 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Datenblätter und Dokumente
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