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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF3N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:2A; Resistance, Rds On:3.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220F; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:8A; Power Dissipation:34W; Power, Pd:34W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:600V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation34 W
Rds On Max3.6 Ω
Rise Time30 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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