onsemi FQPF2N60
$ 0.483
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQPF2N60 | 75 | 12h | |||||||||
| Farnell | FQPF2N60. | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | FQPF2N60 | 457 | 3500 | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-FQPF2N60 | 10.900 | 115 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQPF2N60 | 9.326 | 7 | Tube | 12h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF2HNK60Z
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STMicroelectronicsSTF2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF2N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
600V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
Compliant Through Hole 25 ns Lead Free 25 ns 4.7 Ω TO-220-3 1.6 A
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N TO-220F; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.6A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 4.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Current Rating1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance4.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation28 W
Rds On Max4.7 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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