onsemi FQP8N60C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, TO-220
$ 1.085
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
AvnetFQP8N60C918962
6d
VericalFQP8N60C4.800320
Rochester Electronics
2
FQP8N60C5.143
2d
Flip ElectronicsFQP8N60C918
>1wk
element14 APACFQP8N60C.01
9h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren

Newark

element14 APAC

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQP8N60C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, TO-220
onsemi
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
147W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 600V 1.2¦¸@ 3.75A,10V 7.5A 1.255nF@25V TO-220-3 9.4mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd:
Farnell
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:7.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Onsemi FQP8N60C.
Newark
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for highefficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Augswan
Farnell
Newark
iiiC
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FQP8N60C.